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        OLED蒸鍍體系

        OLED Cluster Deposition System

        裝備簡介

         具有3套進步前輩的OLED蒸鍍裝備,可在高真空情況下切確完成無機資料、金屬復合物資料、金屬資料的蒸發鍍膜。該體系含有3個無機腔體和1個金屬腔體,并含有加熱冷卻、PLASMA處置單位,可完成器件的全主動制備。

        根基手藝參數

        Basic technical parameters

         1.蒸起源數目: 30個

         2.蒸起源溫度: RT~500℃ (高溫源)/1300℃.

         3,成膜精確性和平均性:無機±3%、金屬±5%

         4.最低可控蒸鍍速度: 0.002nm/sec.

         5. Mask對位精度: 100um(機器對位)。

         6. Subshutter功效:可完成統一片基板上疾速多前提制備器件。

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